我们能设计、封测3nm芯片, 但制造拖后腿, 压力给到中芯国际了

众所周知，目前在芯片的生产环节，主要由三个部分组成，分别是设计、制造、封测。

这三个环节是相互独立，又相互依存的，同时遵循木桶理论，那就是其整体水平，其实是取决于最弱的那一环节的。

举个例子，能设计7nm芯片，但制造在10nm，封测在5nm，那么最终水平就是10nm，取决于最差的那个环节。

事实上，也正是如此，目前对于中国大陆而言，真正卡脖子的，其实是制造这一块，因为制造远远的落后于设计、封测了。

先说设计这一块，小米已经设计出了3nm的芯片，但由于国内制造水平跟不上，所以小米的3nm芯片是委托给台积电代工的，采用的是台积电的第二代3nm工艺。

从性能来看，小米的这颗芯片，已经可以比肩苹果的A18芯片，高通的骁龙8Gen3芯片，可见在设计这一块，我们确实达到了3nm的水平。

封测就不用说了，早在2022年的时候，国内的封测企业就已经能够封测3nm的芯片了，并且已经有国外的客户，将3nm的芯片交给国内的企业封测。

毕竟中国芯片封测水平可是第一梯队的，全球前10大封测企业中，中国大陆有4家上榜，在全球市场拿下了30%左右的份额，是相当厉害的。

而制造这一块，相比于设计、封测确实是落后很多。

中芯国际已经是中国大陆最厉害的芯片代工制造企业了，之前对外公开的是14nmFinFET工艺，后来虽然不再公布，而媒体据称有N+1、N+2，但据报道，目前的水平大约也是等效于7nm的水平，突破等效5nm都有困难。

可见，制造是目前我们最大的短板，因为制造跟不上来，所以很多企业能够设计3nm芯片，但却制造不了，比如海思。

为什么制造会更难一些，因为制造需要大量的设备、材料等，这些设备材料都是被限制的，最典型的就是EUV光刻机，它是制造7nm以下芯片必须用到的设备，美国不准ASML卖给我们。

所以说，我们的芯片制造需要加油了，现在的压力给到了中芯国际了，只要制造能够和设计同频，达到3nm水平，那么中国芯就啥也不怕了。

当然，中芯国际的压力又会传导至国产设备厂商那里，只有设备突破，然后中芯国际才能突破，所以接下来，需要整个供应链一起突破。