英特尔 18A 工艺节点技术细节: 较 Intel 3 实现 30%以上密度提升

IT之家6月22日消息，英特尔在2025年超大规模集成电路技术与电路研讨会（SymposiumonVLSITechnologyandCircuits）上披露下一代Intel18A工艺节点技术细节。

该节点将取代现有Intel3节点，优化频率与电压调节能力，后续将应用于消费级处理器“PantherLake”以及服务器处理器ClearwaterForest（纯E核Xeon）等产品。

据英特尔工程师介绍，采用RibbonFET（全环绕栅极GAA）与PowerVia（背侧供电）技术的Intel18A制程相较Intel3实现了30%以上密度提升与“全节点性能进步”，同时提供高性能（HP）、高密度（HD）库，兼具完整设计能力与易用性。

得益于RibbonFET技术，Intel18A相较于使用FinFET的Intel3实现大幅跨越。RibbonFET主要优势在于：

优化栅极静电特性，单位面积有效宽度更大、寄生电容更低，设计灵活性进一步提升；

为180H/160H库引入多种Ribbon宽度，通过DTCO（设计工艺协同优化）平衡逻辑功耗/漏电与性能，为SRAM定制Bitcell优化的Ribbon宽度——全面增强18A节点芯片性能与设计潜力。

另外，18A采用了PowerVia技术，以背侧供电走线替代前侧走线，实现供电网络解耦与独立优化，从而实现多重增益：

逻辑密度提升

标准单元利用率改善

信号RC值降低

电压降（droop）收缩

设计灵活性进一步实现拓展

英特尔18A规格

HP/DR库高度180/160nm

接触式多晶硅栅极间距50mm

金属零层（M0）间距32nm

HCC/HDCSRAAM面积0.023/0.021μm²

正面金属层数量10ML（低成本、高密度），14-16ML（高性能）

背面金属层数量3ML+3ML

通过这些改进，Intel18A相比Intel3实现了超过15%的单位功耗性能提升：

性能能效：1.1V电压下，18A同频性能较Intel3提升约25%；且支持0.65V以下低电压运行，同频功耗最多降38%。

密度提升：18A较Intel3最高实现39%（平均30%）密度提升，背侧供电使单元利用率提8-10%，单元利用率提高8-10%，并将极端IR电压降收缩至原来的10%。

参数对比：HP库高度从Intel3的240nm降至180nm，HD库从210nm降至160nm；M0/M2金属层间距从30/42nm优化为32/32nm。

SRAM缩放：18A的高电流单元（HCC）密度较Intel3提升30%，HCC、HDCSRAM面积分别达0.0230μm²、0.0210μm²。

英特尔表示，18A工艺将持续迭代：2026-2028年将推出18A-P和18A-PT衍生版本（IT之家注：已于2025年DirectConnect大会公布），并开放客户基于这些节点实现芯片量产。