谁才是“水货”? 台积电、三星、intel芯片工艺, 晶体管密度对比

芯片究竟性能有多强，其实与晶体管数量有关的。一个晶体管代表着一个逻辑开关，而在芯片里面，开关越多，则性能越强。

举个例子说一下，不管你是采用几纳米，如果这颗芯片里面有300亿颗晶体管，就算他是28nm工艺的，也会比你采用3nm工艺，150亿颗晶体管的芯片强。

于是很多人就会问了，既然晶体管数量决定一切，那就疯狂堆晶体管啊，还搞什么工艺，不要去研究3nm、2nm这些了，用28nm工艺，疯狂塞晶体管就行。

那你就理解错了，工艺越先进，则单位面积内的晶体管越多，同样的晶体管数量下，芯片的面积越小。

比如200亿个晶体管，如果用28nm工艺来制造，可能需要500平方毫米的面积（只是举例，不一定正确），但用3nm，可能只要100平方毫米。

500平方毫米，是100平方毫米的5倍，相当于硅片要大5倍，这样成本会高多少？

所以说，提高芯片工艺，其实就是为了提高晶体管的密度，然后单位面积内，塞进更多的晶体管，这样在提高性能的同时，缩小面积，降低成本，这个才是核心。

所以这里就能引入一个指标，那就是单位面积内的晶体管密度，可以说谁能够在同样的面积内，塞进更多的晶体管密度，那谁的工艺就最强。

那么目前全球最强的三大芯片制造厂，台积电、三星、intel这三家，谁的工艺最厉害？我们只要比一比晶体管密度，就明白个大概了。

如果是同样的工艺，晶体管密度最高的，肯定是技术最厉害，一点都不掺水的，如果同样工艺，晶体管密度最少的，那肯定就是“水货”，掺水严重。

上图就是这三大厂，从10nm到3nm时，相同工艺下的晶体管密度，单位是亿/每平方毫米。

很明显能够看到，英特尔是“真男人”，晶体管密度在哪个工艺上都是最强的，甚至比台积电、三星的更高一级的工艺下，晶体管密度还要高。

而三星就明显是水货了，其3nm工艺下的晶体管密度，约等于台积电5nm工艺时的晶体管密度，约等于intel在7nm工艺时的晶体管密度。

也从这张表能够看出来，也许大家都叫5nm或3nm，实质水平是完全不一样的，就看厂商们如何去营销自己了，这也是当前芯片领域的现状，其实工艺有真有假的，就看你怎么看了。